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■製品仕様

・書き込み対象：
　1.2〜3.3Vのフラッシュメモリ ※5.0V対応開発中 NOR、Serial-ROM、NAND、One-NAND、GB-NAND、
　i-NAND、MoviNAND、eMMC、eSD、フラッシュ内蔵マイコン、SDメモリーカード、CFカード等のメモリーカード
・メモリ容量：標準 512Gbit(64Gbyte)
・同時書き込み数：
　MODEL404e+: 最大4個
　MODEL408e+: 最大8個
　MODEL416e+: 最大16個
・コンカレント対応機種：MODEL408e+、MODEL416e+
・ソケットユニット ：
　SU400-48DP/3V(各MODELに標準搭載)
　*16ビットEIAJ DIP配列 1.2〜3.3Vのフラッシュメモリ等に対応SU400-42DP/5V(開発中)
　*8ビットJEDEC DIP配列 5.0VのEPROM、フラッシュメモリ、フラッシュ内蔵マイコン等に対応
・動作環境：Windows PC(対応OS:XP/Vista/7/8/8.1/10(64bit))
・データフォーマット：Binary format(no format)、INTEL HEX、Motorola-S
・機能：
　Select: デバイス選択
　Config: 環境設定
　Load: データの読込
　Save: データの保存
　Load Pri: プロジェクトファイルデータの読込
　Save Prj: プロジェクトファイルデータの保存
　Edit: バッファメモリ編集
　Copy: マスターROMからバッファメモリへコピー
　Blank: PROMデータの消去チェック
　Prog: PROMへのデータ書込み
　Verify: PROMデータとバッファメモリデータの比較
　Erase: PROMデータの消去
・外部インターフェース：USB2.0
・電源電圧 / 周波数：AC100V〜AC240V / 50Hz〜60Hz
・外形寸法 / 重量：
　MODEL404e+: 230(W)x260(D)x110(H)mm / 2.4Kg
　MODEL408e+: 380(W)x260(D)x110(H)mm / 5.2Kg
　MODEL416e+: 380(W)x390(D)x120(H)mm / 9.0Kg
　※寸法、重量は全てソケットユニット装着時のものです。
・消費電力：
　MODEL404e+: 60VA
　MODEL408e+: 100VA
　MODEL416e+: 200VA
・動作温度範囲：5〜35°C
・環境：RoHS対応、CEマーキング(取得予定)