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  • メーカー：ローム(ROHM)
  • カテゴリー:
  • 半導体 ＞ マイコン/IC/オプト/Tr/Diその他半導体 ＞ トランジスタ

1415件の商品がございます。

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ROHM(ローム)　4V駆動タイプ Nch MOSFET　RSF014N03TL 「在庫掲載」

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 RSF014N03TL 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 2,490
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　4Ｖ駆動タイプ Pch+Pch MOSFET　UM6J1NTN 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　4Ｖ駆動タイプ Pch+Pch MOSFET　UM6J1NTN 「在庫掲載」

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 UM6J1NTN 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 1,264
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　PNP+PNP デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMA5NTR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　PNP+PNP デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMA5NTR 「在庫掲載」

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 UMA5NTR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 3,000
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　PNP+PNP デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMA9NTR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　PNP+PNP デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMA9NTR 「在庫掲載」

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 UMA9NTR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 1,770
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　PNP+PNP デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMB10NTN 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　PNP+PNP デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMB10NTN 「在庫掲載」

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 UMB10NTN 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 1,919
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　PNP+NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMD12NTR 「在庫掲載」

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 UMD12NTR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 48
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　PNP+NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMD5NTR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　PNP+NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMD5NTR 「在庫掲載」

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 UMD5NTR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 15,330
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　NPN+NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMG11NTR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　NPN+NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMG11NTR 「在庫掲載」

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 UMG11NTR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 2,852
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　NPN+NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMG6NTR 「在庫掲載」

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 UMG6NTR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 2,690
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　NPN+NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMG8NTR 「在庫掲載」

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 UMG8NTR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 2,615
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　NPN+NPN デジタルトランジスタ(抵抗内蔵型トランジスタ) 　UMH11NTN 「在庫掲載」

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 UMH11NTN 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 915
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　NPN 400mA 20V ミューティング用デジタルトランジスタ (抵抗内蔵トランジスタ)　UMH37NTN 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　NPN 400mA 20V ミューティング用デジタルトランジスタ (抵抗内蔵トランジスタ)　UMH37NTN 「在庫掲載」

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 UMH37NTN 価格 個別見積
標準納期 ３ヶ月 現在庫数 0
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

UMH37Nはミューティング用の抵抗内蔵トランジスタで、SOT-363パッケージに2つのDTC914TUBを内蔵しています。
ROHM(ローム)　PNP+PNP 低VCE(sat) トランジスタ　UMT18NTR 「在庫掲載」

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 UMT18NTR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 100
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　NPN+NPN 一般増幅用トランジスタ　UMX1NTN 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　NPN+NPN 一般増幅用トランジスタ　UMX1NTN 「在庫掲載」

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 UMX1NTN 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 4,521
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　2.5V駆動タイプ Pch+SBD MOSFET　US5U30TR 「在庫掲載」

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 US5U30TR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 90
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード（SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　1.5Ｖ駆動タイプ Pch+Pch MOSFET　US6J11TR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　1.5Ｖ駆動タイプ Pch+Pch MOSFET　US6J11TR 「在庫掲載」

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 US6J11TR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 600
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　-12V Pch+Pch Small Signal MOSFET　US6J12TCR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　-12V Pch+Pch Small Signal MOSFET　US6J12TCR 「在庫掲載」

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 US6J12TCR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 5,990
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

US6J12は低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。
ROHM(ローム)　4Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET　US6K2TR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　4Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET　US6K2TR 「在庫掲載」

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 US6K2TR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 94
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　4Ｖ駆動タイプ Nch + 2.5Ｖ駆動タイプ Pch MOSFET　US6M1TR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　4Ｖ駆動タイプ Nch + 2.5Ｖ駆動タイプ Pch MOSFET　US6M1TR 「在庫掲載」

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 US6M1TR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 11,950
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETとNch MOSFETを複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　PNP+PNP ドライバ用トランジスタ　US6T8TR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　PNP+PNP ドライバ用トランジスタ　US6T8TR 「在庫掲載」

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メーカー品番

 US6T8TR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 100
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　NPN+NPN ドライバ用トランジスタ　US6X7TR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　NPN+NPN ドライバ用トランジスタ　US6X7TR 「在庫掲載」

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メーカー品番

 US6X7TR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 65
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　NPN+NPN ドライバ用トランジスタ　US6X8TR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　NPN+NPN ドライバ用トランジスタ　US6X8TR 「在庫掲載」

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メーカー品番

 US6X8TR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 100
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　1.2Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET　VT6K1T2CR 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　1.2Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET　VT6K1T2CR 「在庫掲載」

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 VT6K1T2CR 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 6,912
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　PNP+PNP 一般増幅用トランジスタ　VT6T11T2R 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　PNP+PNP 一般増幅用トランジスタ　VT6T11T2R 「在庫掲載」

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メーカー品番

 VT6T11T2R 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 7,682
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。
ROHM(ローム)　4Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET　SH8K32GZETB 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　4Ｖ駆動タイプ Nch+Nch MOSFET　SH8K32GZETB 「在庫掲載」

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メーカー品番

 SH8K32GZETB 価格 個別見積
標準納期 １０日 現在庫数 3,600
最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)

電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。
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