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650V GaN HEMTのデバイス性能指数において業界トップクラスを実現しました。
これによりスイッチング損失を大きく削減できるため、電源システムの高効率化を可能にします。
また、ESD保護素子を内蔵したことにより、静電破壊耐量が3.5kVまで向上するため、アプリケーションの高信頼化にも寄与します。
さらに、GaN HEMTの特長を活かした高速スイッチング動作により、周辺部品の小型化にも貢献します。