岡本無線電機の通販サイト | E-JUNCTION（イージャンクション）

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超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

高い供給力に高信頼性パッケージを誇るロームのスイッチングダイオード。
ダイオードアレイも充実し幅広くご利用いただけます。

高い供給力に高信頼性パッケージを誇るロームのスイッチングダイオード。
ダイオードアレイも充実し幅広くご利用いただけます。

高い供給力に高信頼性パッケージを誇るロームのスイッチングダイオード。
ダイオードアレイも充実し幅広くご利用いただけます。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

市場ニーズに応え、超小型品からパワーパッケージまでのパッケージ展開と省エネ・高信頼性を開発コンセプトとし、多彩な商品ラインアップをしています。

市場ニーズに応え、超小型品からパワーパッケージまでのパッケージ展開と省エネ・高信頼性を開発コンセプトとし、多彩な商品ラインアップをしています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

ロームのツェナダイオードは、使いやすい2端子モールド品複合品と豊富なラインアップを取り揃えています。

ロームのツェナダイオードは、使いやすい2端子モールド品複合品と豊富なラインアップを取り揃えています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

ロームのツェナダイオードは、使いやすい2端子モールド品複合品と豊富なラインアップを取り揃えています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード（SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード（SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

VS5V0UA1LAMは小型モールドパッケージのTVSダイオードです。
サージ保護用途に最適です。

VS5V0UA1LAMは小型モールドパッケージのTVSダイオードです。
サージ保護用途に最適です。

VS5V0UA1LAMは小型モールドパッケージのTVSダイオードです。
サージ保護用途に最適です。

VS3V3BA1ESは超小型パッケージ(0603サイズ)のトランジェントボルテージサプレッサーダイオードです。
低クランプ電圧と高いサージ耐性が特長で、電子機器のインタフェース保護に最適です。

VS3V3BB1ESは超小型パッケージ(0603サイズ)のトランジェントボルテージサプレッサーダイオードです。
低クランプ電圧と高いサージ耐性が特長で、電子機器のインタフェース保護に最適です。

VS5V0BA1ESは超小型パッケージ(0603サイズ)のトランジェントボルテージサプレッサーダイオードです。
低クランプ電圧と高いサージ耐性が特長で、電子機器のインタフェース保護に最適です。

VS5V0BC1ESは超小型パッケージ(0603サイズ)のトランジェントボルテージサプレッサーダイオードです。
低クランプ電圧と高いサージ耐性が特長で、電子機器のインタフェース保護に最適です。

VS5V0BL1HSは超小型パッケージ(0603サイズ)のトランジェントボルテージサプレッサーダイオードです。
低クランプ電圧と高いサージ耐性が特長で、電子機器のインタフェース保護に最適です。

UDZLV100は小型モールドタイプの定電圧制御に最適なダイオードです。