岡本無線電機の通販サイト | E-JUNCTION（イージャンクション）

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本製品は産業機器市場へ向けた、長期の供給を保証するランクの製品です。これらのアプリケーションとして、ご使用される場合に最適な商品です。BM3G015MUV-LBは、高電力密度と効率を必要とするすべてのエレクトロニクスシステムに最適なソリューションを提供します。650V耐圧GaN HEMTとシリコンドライバをオリジナルパッケージに統合することにより、PCBとワイヤボンディングによって生じる寄生インダクタンスが、従来のディスクリートソリューションに比べて大幅に低減されます。これにより、150V/nsまでの高いスイッチングスルーレートが達成できます。また、調整可能なゲート駆動強度は、低EMIに寄与し、種々の保護及び他の追加機能は、トータルコスト、PCBサイズを最適化します。このICは、主要な既存のコントローラICに適応させるように設計されているため、スーパージャンクションMOSFETのような従来のディスクリートパワースイッチの置き換えにも使用可能です。

特長:
Nano Cap™搭載 出力を選択可能な5V LDO
産業機器に適した長期の供給保証
広い動作範囲のVDD端子電圧
広い動作範囲のIN端子電圧
低VDD静止及び動作電流
低伝搬遅延
高いdv/dt耐性
調整可能なゲート駆動強度
PowerGood信号出力
VDD UVLO保護
サーマルシャットダウン保護

特性:
Vin (Min.)[V]　：-0.6
Vin (Max.)[V]　：30
Operating Current@130 kHz(Typ) [μA]　：450
Quiescent Current (Typ) [μA]　：150
Switching Frequency(Max)[MHz]　：2
Turn-on Delay Time(Typ)[ns]　：11
Turn-off Delay Time(Typ)[ns]　：15
Temperature (Min.)[°C]　：-40
Temperature (Max.)[°C]　：105
ON State Resistance(Typ)[mΩ]　：150
Package Size [mm]　：8.0x8.0 (t=1.0)
Application　：Networking, Server
Storage Temperature (Min.)[°C]　：-55
Storage Temperature (Min.)[°C]　：150