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メーカー品番 :BD3539FVM-TR

ROHM(ローム) DDR-SDRAM向けターミネーション用リニア電源 BD3539FVM-TR 「在庫掲載」

ROHM(ローム) DDR-SDRAM向けターミネーション用リニア電源 BD3539FVM-TR 「在庫掲載」

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標準納期:10日

現在庫数:8,349(仕入先在庫品)

最低注文数:50 注文単位数:1 (単位:個)

メーカー:ROHM(ローム)

メーカーURL:https://fscdn.rohm.com/jp/products/databook/datasheet/ic/power/linear_regulator/bd3539xxx-j.pdf

カテゴリ: 半導体 > マイコン/IC/オプト/Tr/Diその他半導体 > レギュレータ

BD3539FVMは、JEDEC準拠のDDR1-SDRAM、DDR2-SDRAM、DDR3-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。
N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。
内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。
内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3V (DDR2, DDR3)もしくは5.0V (DDR1, DDR2, DDR3) が必要です。
JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン(VDDQ)と独立したフィードバックピン(VTTS)を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。
また、DDR-SDRAM、メモリコントローラ用の基準電源出力ピン(VREF)を持っています。
ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

※写真はイメージです。
※在庫切れの場合は別途御相談させて頂きます。

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特長

・ターミネーション用プシュプル電源内蔵(VTT)  
・基準電圧回路内蔵(VREF)  
・イネイブル機能内蔵 
・低入力誤動作防止回路内蔵(UVLO)  
・過熱保護回路内蔵(TSD)  
・Dual Channel 対応(DDR1, DDR2, DDR3)  
・出力コンデンサにセラミックコンデンサ使用可能

メーカー梱包単位

3,000個