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BDxxIA5WEFJ シリーズは、出力電流0.5A を供給可能なLDO レギュレータです。
出力精度は±1%となっております。
外付け抵抗を使用して、0.8V～4.5V まで任意の出力電圧を設定することができる可変タイプと、1.0V/1.2V/1.5V/1.8V/2.5V/3.0V/3.3V 出力の固定タイプがあります。
パッケージは放熱性に優れたHTSOP-J8 を採用しております。
デジタル家電などでの幅広いアプリケーションへの使用が可能です。
本機種は出力短絡などによるIC 破壊を防止する過電流保護回路、シャットダウン時に回路電流を0μA とするON/OFF スイッチ、IC を過負荷状態などによる熱破壊から防ぐ温度保護回路を内蔵しております。
また、セラミックコンデンサ対応で、セットの小型化、高寿命化に貢献します。

BD33IC0MEFJ-Cは、出力電流1.0Aを供給可能なレギュレータです。
出力精度はTa=-40°C～+125°Cで±3%となっております。
パッケージは小型かつ放熱性に優れたHTSOP-J8を採用しております。
本機種は出力短絡などによるIC破壊を防止する過電流保護回路、シャットダウン時に回路電流を0μAとするON/OFFスイッチ、ICを過負荷状態などによる熱破壊から防ぐ温度保護回路を内蔵しております。
また、セラミック・コンデンサ対応で、セットの小型化、高寿命化に貢献します。

本製品は産業機器市場へ向けた、長期の供給を保証するランクの製品です。
BD33IC0MEFJ-LBは、出力電流1.0Aを供給可能なレギュレータです。
出力精度は±1%となっております。
パッケージは放熱性に優れたHTSOP-J8を採用しております。
本機種は出力短絡などによるIC破壊を防止する過電流保護回路、シャットダウン時に回路電流を0μAとするON/OFFスイッチ、ICを過負荷状態などによる熱破壊から防ぐ温度保護回路を内蔵しております。
また、セラミックコンデンサ対応で、セットの小型化、高寿命化に貢献します。

BDxxIC0MEFJ-M シリーズは、出力電流1.0A を供給可能なレギュレータです。
出力精度は±1%となっております。
外付け抵抗を使用して、0.8V ～ 4.5V まで任意の出力電圧を設定することができる可変タイプと、1.0V/1.2V/1.5V/1.8V/2.5V/3.0V/3.3V 出力の固定出力タイプがあります。
パッケージは放熱性に優れたHTSOP-J8 を採用しております。
本機種は出力短絡などによるIC 破壊を防止する過電流保護回路、シャットダウン時に回路電流を0μA とするON/OFF スイッチ、IC を過負荷状態などによる熱破壊から防ぐ温度保護回路を内蔵しております。
また、セラミックコンデンサ対応で、セットの小型化、高寿命化に貢献します。

BDxxIC0W シリーズは、出力電流1.0A を供給可能なレギュレータです。
出力精度は±1%となっております。
外付け抵抗を使用して、0.8V～4.5V まで任意の出力電圧を設定することができる可変タイプと、1.0V/1.2V/1.25V/1.5V/1.8V/2.5V/2.6V/3.0V/3.3V 出力の固定タイプがあります(1.25V/2.6V はHVSOF6 パッケージのみ)。
パッケージは放熱性に優れたHTSOP-J8と小型でハロゲンフリー対応のHVSOF6 を採用しております。
デジタル家電などでの幅広いアプリケーションへの使用が可能です。
本機種は出力短絡などによるIC 破壊を防止する過電流保護回路、シャットダウン時に回路電流を0μA とするON/OFF スイッチ、IC を過負荷状態などによる熱破壊から防ぐ温度保護回路を内蔵しております。
また、セラミックコンデンサ対応で、セットの小型化、高寿命化に貢献します。

BDxxIC0W シリーズは、出力電流1.0A を供給可能なレギュレータです。
出力精度は±1%となっております。
外付け抵抗を使用して、0.8V～4.5V まで任意の出力電圧を設定することができる可変タイプと、1.0V/1.2V/1.25V/1.5V/1.8V/2.5V/2.6V/3.0V/3.3V 出力の固定タイプがあります(1.25V/2.6V はHVSOF6 パッケージのみ)。
パッケージは放熱性に優れたHTSOP-J8と小型でハロゲンフリー対応のHVSOF6 を採用しております。
デジタル家電などでの幅広いアプリケーションへの使用が可能です。
本機種は出力短絡などによるIC 破壊を防止する過電流保護回路、シャットダウン時に回路電流を0μA とするON/OFF スイッチ、IC を過負荷状態などによる熱破壊から防ぐ温度保護回路を内蔵しております。
また、セラミックコンデンサ対応で、セットの小型化、高寿命化に貢献します。

ロームのセカンダリLDOレギュレータシリーズは、小型・省電力化が進むさまざまなデバイスの性能を最大限に引き出し、低ノイズで安定した電源回路を構成します。
500mAローカル電源用固定出力セカンダリLDOレギュレータは、出力電圧精度±1%を実現した、出力電流500ｍAまで供給可能な低飽和型レギュレータです。
多種多様な出力電圧、パッケージなど豊富なラインアップを取り揃えております。
TV、カーオーディオからHDD、PC、DVDなど幅広いアプリケーションへの使用が可能です。
本シリーズは出力短絡などによるIC破壊を防止する過電流保護回路、ICを過負荷状態などによる熱破壊から防ぐ過熱保護回路を内蔵しております。

ロームのセカンダリLDOレギュレータシリーズは、小型・省電力化が進むさまざまなデバイスの性能を最大限に引き出し、低ノイズで安定した電源回路を構成します。
500mAローカル電源用シャットダウンスイッチ付固定出力セカンダリLDOレギュレータは、出力電圧精度±1%を実現した、出力電流500ｍAまで供給可能な低飽和型レギュレータです。
シャットダウン時に回路電流を0μAとするON/OFFスイッチを搭載し、出力電圧のラインアップ、パッケージラインアップなど豊富なラインアップを取り揃えております。
TV、カーオーディオからHDD、PC、DVDなど幅広いアプリケーションへの使用が可能です。
本シリーズは出力短絡などによるIC破壊を防止する過電流保護回路、ICを過負荷状態などによる熱破壊から防ぐ過熱保護回路を内蔵しております。

ロームのセカンダリLDOレギュレータシリーズは、小型・省電力化が進むさまざまなデバイスの性能を最大限に引き出し、低ノイズで安定した電源回路を構成します。
500mAローカル電源用シャットダウンスイッチ付固定出力セカンダリLDOレギュレータは、出力電圧精度±1%を実現した、出力電流500ｍAまで供給可能な低飽和型レギュレータです。
シャットダウン時に回路電流を0μAとするON/OFFスイッチを搭載し、出力電圧のラインアップ、パッケージラインアップなど豊富なラインアップを取り揃えております。
TV、カーオーディオからHDD、PC、DVDなど幅広いアプリケーションへの使用が可能です。
本シリーズは出力短絡などによるIC破壊を防止する過電流保護回路、ICを過負荷状態などによる熱破壊から防ぐ過熱保護回路を内蔵しております。

BD3506Fは、超低電圧入力から超低電圧出力を実現できるチップセット用リニアレギュレータです。
内蔵のパワートランジスタに、N-MOSFETを使用することで、オン抵抗(RON=120mΩ)で発生する電圧差までの超低入出力電圧差で使用できます。
入出力電圧差を小さくすることで、大電流(Iomax=2.5A)出力を実現し、変換ロスも低減できるため、スイッチング電源からの置き換えができます。
BD3506Fはスイッチング電源で必要なチョークコイルや整流用のダイオード、パワートランジスタが不要なため、セットトータルのコストダウン、小型化を実現できます。
外付け抵抗を使用して0.65～2.5Vまで任意の出力電圧を設定することができます。
また、NRCS端子を使用することで、電圧出力の起動時間を調整できるため、セットの電源シーケンスに対応することができます。

超低飽和レギュレータBD3507HFVはチップセットバス用電源として最適です。
出力コンデンサにセラミックコンデンサを使用できるため、ICのみならずセットの小型化薄型化に貢献します。
小型ながら放熱フィンのあるパワーPKGを採用しているため、550mAまでのレギュレータとして使用できます。
Nch MOSFETを採用し、RON=300mΩ(TYP)という超低飽和の電源を構成できるため、リニアタイプの電源でありながら高効率なシステムを構成できます。
出力電圧はVREF端子で設定でき、他電源と同期させる事ができます。
また、低電圧電源ライン(1.2～2.5V)のハイサイドスイッチ(RON=300mΩ/Io=550mA)としても使用する事もできます。

BD3508MUVは、超低電圧入力から超低電圧出力を実現できるチップセット用リニアレギュレータです。
内蔵のパワートランジスタに、N-MOSFETを使用することで、オン抵抗(RON MAX=100mΩ)で発生する電圧差までの超低入出力電圧差で使用できます。
入出力電圧差を小さくすることで、大電流(Iomax=3.0A)出力を実現し、変換ロスも低減できるため、スイッチング電源からの置き換えができます。
BD3508MUVはスイッチング電源で必要なチョークコイルや整流用のダイオード、パワートランジスタが不要なため、セットトータルのコストダウン、小型化を実現できます。
外付け抵抗を使用して0.65～2.7Vまで任意の出力電圧を設定することができます。
また、NRCS端子を使用することで、電圧出力の起動時間を調整できるため、セットの電源シーケンスに対応することができます。

BD3509MUVは、超低電圧入力から超低電圧出力を実現できるチップセット用リニアレギュレータです。
内蔵のパワートランジスタに、N-MOS FETを使用することで、オン抵抗(RON MAX=50mΩ)で発生する電圧差までの超低入出力電圧差で使用できます。
入出力電圧差を小さくすることで、大電流(Iomax=4.0A)出力を実現し、変換ロスも低減できるため、スイッチング電源からの置き換えができます。
BD3509MUVはスイッチング電源で必要なチョークコイルや整流用のダイオード、パワートランジスタが不要なため、セットトータルのコストダウン、小型化を実現できます。
外付け抵抗を使用して0.65～2.7Vまで任意の出力電圧を設定することができます。
また、NRCS端子を使用することで、電圧出力の起動時間を調整できるため、セットの電源シーケンスに対応することができます。

BD3512MUVは、超低電圧入力から超低電圧出力を実現できるチップセット用リニアレギュレータです。
内蔵のパワートランジスタに、N-MOSFETを使用することで、オン抵抗(RON MAX=100mΩ)で発生する電圧差までの超低入出力電圧差で使用できます。
入出力電圧差を小さくすることで、大電流(Iomax=3.0A)出力を実現し、変換ロスも低減できるため、スイッチング電源からの置き換えができます。
BD3512MUVはスイッチング電源で必要なチョークコイルや整流用のダイオード、パワートランジスタが不要なため、セットトータルのコストダウン、小型化を実現できます。
外付け抵抗を使用して0.65～2.7Vまで任意の出力電圧を設定することができます。
また、NRCS端子を使用することで、電圧出力の起動時間を調整できるため、セットの電源シーケンスに対応することができます。

BD3533Fは、JEDEC準拠のDDR－SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。
N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大１Aまで供給できるリニア電源です。
内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。
内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3Vもしくは5.0Vが必要です。
JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン（VDDQ）と独立したフィードバックピン（VTTS）を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。
また、DDR-SDRAM、メモリーコントローラ用の基準電源出力ピン（VREF）を持っています。
ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

BD3533FVMは、JEDEC準拠のDDR－SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。
N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大１Aまで供給できるリニア電源です。
内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。
内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3Vもしくは5.0Vが必要です。
JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン（VDDQ）と独立したフィードバックピン（VTTS）を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。
また、DDR-SDRAM、メモリーコントローラ用の基準電源出力ピン（VREF）を持っています。
ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

BD3533HFNは、JEDEC準拠のDDR－SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。
N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大１Aまで供給できるリニア電源です。
内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。
内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3Vもしくは5.0Vが必要です。
JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン（VDDQ）と独立したフィードバックピン（VTTS）を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。
また、DDR-SDRAM、メモリーコントローラ用の基準電源出力ピン（VREF）を持っています。
ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

BD3537Fは、JEDEC準拠のDDR－SDRAMに対応するターミネーション・レギュレータです。
N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1.8Aまで供給できるニア電源です。
内部のOP-AMP を高設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。
内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に5.0Vが必要です。
出力コンデンサがセラミックコンデンサ10µFで対応できるため、電源部トータルでの省スペース化が可能です。

BD35390FJは、JEDEC準拠のDDR1/2/3-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。
N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。
内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。
内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3Vもしくは5.0Vが必要です。
JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン（VDDQ）と独立したフィードバックピン（VTTS）を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。

BD35395FJ-Mは、JEDEC準拠のDDR1/2/3/3L-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。
N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。
内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。
内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3Vもしくは5.0Vが必要です。
JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン（VDDQ）と独立したフィードバックピン（VTTS）を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。

BD3539FVMは、JEDEC準拠のDDR1-SDRAM、DDR2-SDRAM、DDR3-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。
N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。
内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。
内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3V (DDR2, DDR3)もしくは5.0V (DDR1, DDR2, DDR3) が必要です。
JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン(VDDQ)と独立したフィードバックピン(VTTS)を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。
また、DDR-SDRAM、メモリコントローラ用の基準電源出力ピン(VREF)を持っています。
ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

BD3539NUXは、JEDEC準拠のDDR1-SDRAM、DDR2-SDRAM、DDR3-SDRAMに対応する、ターミネーション・レギュレータです。
N-MOSFETを内蔵しシンク/ソースで最大1Aまで供給できるリニア電源です。
内部のOP-AMPを高速設計することで優れた過渡応答特性を実現しています。
内部のN-MOSFETを駆動するため、バイアス用電源に、3.3V (DDR2, DDR3)もしくは5.0V (DDR1, DDR2, DDR3) が必要です。
JEDECで定められた電圧精度を保つために、独立した基準入力ピン(VDDQ)と独立したフィードバックピン(VTTS)を持っており、優れた出力電圧精度、ロードレギュレーションを実現しています。
また、DDR-SDRAM、メモリコントローラ用の基準電源出力ピン(VREF)を持っています。
ENピン=Lの場合、VTT出力は、Hi-Zとなっていますが、VREF出力は維持されており、DDR-SDRAMのSelf Refreshステートに対応しています。

BD354XNUVは、超低電圧入力から超低電圧出力を実現できるチップセット用リニアレギュレータです。
内蔵のパワートランジスタに、N-MOSFETを使用することで、オン抵抗(RON=400mΩ(BD3540NUV))で発生する電圧差までの超低入出力電圧差で使用できます。
入出力電圧差を小さくすることで、大電流(Iomax=0.5A(BD3540NUV))出力を実現し、変換ロスも低減できるため、スイッチング電源からの置き換えができます。
BD354XNUVはスイッチング電源で必要なチョークコイルや整流用のダイオード、パワートランジスタが不要なため、セットトータルのコストダウン、小型化を実現できます。
外付け抵抗を使用して0.65～2.7Vまで任意の出力電圧を設定することができます。
また、NRCS端子を使用することで、電圧出力の起動時間を調整できるため、セットの電源シーケンスに対応することができます。

BD354XNUVは、超低電圧入力から超低電圧出力を実現できるチップセット用リニアレギュレータです。
内蔵のパワートランジスタに、N-MOS FETを使用することで、オン抵抗( RON=200mΩ(BD3541NUV))で発生する電圧差までの超低入出力電圧差で使用できます。
入出力電圧差を小さくすることで、大電流(Iomax=1.0A(BD3541NUV))出力を実現し、変換ロスも低減できるため、スイッチング電源からの置き換えができます。
BD354XNUVはスイッチング電源で必要なチョークコイルや整流用のダイオード、パワートランジスタが不要なため、セットトータルのコストダウン、小型化を実現できます。
外付け抵抗を使用して0.65～2.7Vまで任意の出力電圧を設定することができます。
また、NRCS端子を使用することで、電圧出力の起動時間を調整できるため、セットの電源シーケンスに対応することができます。

BD3550HFN/BD3551HFN/BD3552HFNは、超低電圧入力から超低電圧出力を実現できるチップセット用リニアレギュレータです。
内蔵のパワートランジスタに、N-MOSFETを使用することで、オン抵抗(RON=400mΩ/200mΩ/100mΩ)で発生する電圧差までの超低入出力電圧差で使用できます。
入出力電圧差を小さくすることで、大電流(Iomax=0.5A/1.0A/2.0A)出力を実現し、変換ロスも低減できるため、スイッチング電源からの置き換えができます。
BD355XHFNはスイッチング電源で必要なチョークコイルや整流用のダイオード、パワートランジスタが不要なため、セットトータルのコストダウン、小型化を実現できます。
外付け抵抗を使用して0.65～2.7Vまで任意の出力電圧を設定することができます。
また、NRCS端子を使用することで、電圧出力の起動時間を調整できるため、セットの電源シーケンスに対応することができます。

BD3550HFN/BD3551HFN/BD3552HFNは、超低電圧入力から超低電圧出力を実現できるチップセット用リニアレギュレータです。
内蔵のパワートランジスタに、N-MOSFETを使用することで、オン抵抗(RON=400mΩ/200mΩ/100mΩ)で発生する電圧差までの超低入出力電圧差で使用できます。
入出力電圧差を小さくすることで、大電流(Iomax=0.5A/1.0A/2.0A)出力を実現し、変換ロスも低減できるため、スイッチング電源からの置き換えができます。
BD355XHFNはスイッチング電源で必要なチョークコイルや整流用のダイオード、パワートランジスタが不要なため、セットトータルのコストダウン、小型化を実現できます。
外付け抵抗を使用して0.65～2.7Vまで任意の出力電圧を設定することができます。
また、NRCS端子を使用することで、電圧出力の起動時間を調整できるため、セットの電源シーケンスに対応することができます。

BD3550HFN/BD3551HFN/BD3552HFNは、超低電圧入力から超低電圧出力を実現できるチップセット用リニアレギュレータです。
内蔵のパワートランジスタに、N-MOSFETを使用することで、オン抵抗(RON=400mΩ/200mΩ/100mΩ)で発生する電圧差までの超低入出力電圧差で使用できます。
入出力電圧差を小さくすることで、大電流(Iomax=0.5A/1.0A/2.0A)出力を実現し、変換ロスも低減できるため、スイッチング電源からの置き換えができます。
BD355XHFNはスイッチング電源で必要なチョークコイルや整流用のダイオード、パワートランジスタが不要なため、セットトータルのコストダウン、小型化を実現できます。
外付け抵抗を使用して0.65～2.7Vまで任意の出力電圧を設定することができます。
また、NRCS端子を使用することで、電圧出力の起動時間を調整できるため、セットの電源シーケンスに対応することができます。

BD357xYFP BD357xYHFP Series は、50V高耐圧の車載向けレギュレータです。
出力電流500mAでありながら消費電流を30μA(Typ)に抑え、バッテリー直結システムの低消費電流化に最適です。
出力の位相補償コンデンサにセラミックコンデンサが使用可能で、出力電圧精度が±2 %、万一のショート時にも発熱を抑えるフの字型過電流保護回路の採用により、厳しい環境下で使用される車の電源回路で高い信頼性を実現することができます。

BD357xYFP BD357xYHFP Series は、50V高耐圧の車載向けレギュレータです。
出力電流500mAでありながら消費電流を30μA(Typ)に抑え、バッテリー直結システムの低消費電流化に最適です。
出力の位相補償コンデンサにセラミックコンデンサが使用可能で、出力電圧精度が±2 %、万一のショート時にも発熱を抑えるフの字型過電流保護回路の採用により、厳しい環境下で使用される車の電源回路で高い信頼性を実現することができます。

BD357xYFP BD357xYHFP Series は、50V高耐圧の車載向けレギュレータです。
出力電流500mAでありながら消費電流を30μA(Typ)に抑え、バッテリー直結システムの低消費電流化に最適です。
出力の位相補償コンデンサにセラミックコンデンサが使用可能で、出力電圧精度が±2 %、万一のショート時にも発熱を抑えるフの字型過電流保護回路の採用により、厳しい環境下で使用される車の電源回路で高い信頼性を実現することができます。