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メーカー品番 ：BR25A512FVT-3MGE2

ROHM(ローム)　105℃動作 SPI BUS EEPROM　BR25A512FVT-3MGE2 「在庫掲載」

ROHM(ローム)　105℃動作 SPI BUS EEPROM　BR25A512FVT-3MGE2 「在庫掲載」

E-Junction価格 ： 個別見積

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標準納期：10日

現在庫数：50（仕入先在庫品）

最低注文数：50 注文単位数：1 (単位：個)

メーカー：ROHM(ローム)

メーカーURL：https://fscdn.rohm.com/jp/products/databook/datasheet/ic/memory/eeprom/br25a512-3m-j.pdf

カテゴリ： 半導体 > マイコン/IC/オプト/Tr/Diその他半導体 > ＥＥＰＲＯＭ

BR25A512FVT-3Mは、512kbit SPI BUSインタフェースのシリアルEEPROMです。

※写真はイメージです。
※在庫切れの場合は別途御相談させて頂きます。

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特長


・最高速10MHz (Max) のクロック動作
・HOLDB端子によるウェイト機能
・プログラムによってメモリアレイの一部～全部を　
書き換え禁止 (ROM) 領域に設定可能
・2.5V ～ 5.5V 単一電源動作
・ページライトモード最大128Byte
・SPI BUSインタフェース (CPOL,CPHA) = (0,0) 、(1,1) に対応
・データ書き換え時の自動消去、自動終了機能
・低消費電流
・ライト動作時（5V時）： 0.7mA (Typ)
・リード動作時（5V時）： 2.4mA (Typ)
・待機時（5V時）： 0.1?A (Typ)
・読み出し動作時のアドレスオートインクリメント機能
・誤書き込み防止機能
・電源投入時の書き込み禁止
・命令コード (WRDI) による書き込み禁止
・WPBピンによる書き込み禁止
・ステータスレジスタ (BP1,BP0) による
・書き込み禁止ブロックの設定
・低電圧時の誤書き込み禁止回路内蔵100年間のデータ保持が可能
・1,000,000回のデータ書き換えが可能
・ビット形式64K×8
・出荷時データ　
メモリアレイ：FFh　
ステータスレジスタ：WPEN, BP1, BP0：0

メーカー梱包単位

3,000個

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