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電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETとNch MOSFETを複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード（SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した低オン抵抗MOSFETとショットキーバリアダイオード（SBD)を複合化し、豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

QS8J13は低オン抵抗のミドルパワーMOSFETです。
小型表面実装パッケージで省スペース化に貢献します。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

QS8M31は複合タイプ（Nch + Pch）トランジスタで、スイッチング用途に適しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETとNch MOSFETを複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

市場ニーズに応え、超小型品からパワーパッケージまでのパッケージ展開と省エネ・高信頼性を開発コンセプトとし、多彩な商品ラインアップをしています。

市場ニーズに応え、超小型品からパワーパッケージまでのパッケージ展開と省エネ・高信頼性を開発コンセプトとし、多彩な商品ラインアップをしています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

市場ニーズに応え、超小型品からパワーパッケージまでのパッケージ展開と省エネ・高信頼性を開発コンセプトとし、多彩な商品ラインアップをしています。

市場ニーズに応え、超小型品からパワーパッケージまでのパッケージ展開と省エネ・高信頼性を開発コンセプトとし、多彩な商品ラインアップをしています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

超小型パッケージでトランジスタ2個内蔵タイプを準備。
プリアンプの差動増幅回路から高周波の水晶発振器、ドライバの用途等に各種そろえています。

R5205PND3FRAはAEC-Q101に準拠した車載グレードのMOSFETです。
Nch 525V MOSFETとESD保護ダイオードをTO-252パッケージに内蔵しています。
スイッチング用途に最適です。

R6002END3は低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

R6xxxENxシリーズは使いやすさを重視した、低ノイズ性能が特徴のSuper Junction MOSFET製品です。
このシリーズ製品は、オーディオや照明等といった、ノイズを極力抑えたいアプリケーションにおいて、ベストなパフォーマンスを実現致します。

R6003KND3は低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

R6004END3はスイッチング電源用途に最適なパワーMOSFETです。