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RD3P200SNFRAは低オン抵抗のパワーMOSFETです。
AEC-Q101に準拠した車載グレードの高信頼製品です。
スイッチング用途に最適です。

RD3P200SNは低オン抵抗のPower MOSFETです。
スイッチングのアプリケーションに最適です。

RD3S075CNは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

RD3S100AAFRAはスイッチング電源用途に最適なパワーMOSFETです。

RD3S100CNは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

RD3T050CNは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

RD3T075CNは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

RD3T100CNは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

RD3U040CNは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

RD3U041AAFRAはスイッチング電源用途に最適なパワーMOSFETです。
AEC-Q101に準拠した車載グレードのMOSFETです。

RD3U060CNは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

RD3U080AAFRAはスイッチング電源用途に最適なパワーMOSFETです。

RD3U080CNは低オン抵抗かつ高速スイッチングスピードのパワーMOSFETです。
スイッチングなどの用途に最適です。

RE1C001UNは、スイッチング用途に最適な小信号MOSFETです。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

RF4C050APは低オン抵抗・小型ハイパワーパッケージのMOSFETで、スイッチングやロードスイッチ用途に最適です。

RF4C100BCは低オン抵抗、小型ハイパワーパッケージのミドルパワーMOSFETです。
スイッチング、ロードスイッチ用途に適しています。

RF4E060AJはハイパワーパッケージで低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

RF4E100AJは小型ハイパワーパッケージ(HUML2020L8)の、スイッチングやDC/DCコンバータ、バッテリースイッチ向けのMOSFETです。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

RF4L055GNTCRはスイッチング用途に最適な低ON抵抗のパワーMOSFETです。