岡本無線電機の通販サイト | E-JUNCTION（イージャンクション）

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ロームの光センサは変化を見つめる電子の目としてあらゆる動きの検出に対応し、日々進化するお客様の要望にお応えします。

ロームの光センサは変化を見つめる電子の目としてあらゆる動きの検出に対応し、日々進化するお客様の要望にお応えします。

ロームの光センサは変化を見つめる電子の目としてあらゆる動きの検出に対応し、日々進化するお客様の要望にお応えします。

ロームの光センサは変化を見つめる電子の目としてあらゆる動きの検出に対応し、日々進化するお客様の要望にお応えします。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。

RQ3C150BCはスイッチングやロードスイッチ用途向けのミドルパワーMOSFETです。

RQ3E075ATは小型ハイパワーパッケージ(HSMT8)のスイッチング用途向けMOSFETです。

RQ3E080BNはハイパワーパッケージ(HSMT8)のミドルパワーMOSFETです。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

RQ3E100ATはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のMOSFETです。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

RQ3E110AJは小型面実装パッケージで低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。

RQ3E120ATは小型ハイパワーパッケージのスイッチング用途に適したミドルパワーMOSFETです。

ハイパワーパッケージ(HSMT8)のRQ3E120BNは低オン抵抗でスイッチング用途に最適です。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

RQ3E130BNはハイパワーパッケージ(HSMT8)のMOSFETです。

RQ3E150BNはハイパワーパッケージ(HSMT8)のミドルパワーMOSFETです。

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

RQ3G100GNは4.5V駆動のNchパワーMOSFETです。
ロームは微細プロセスを採用した「超低オン抵抗 デバイス」により幅広い分野に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とす る豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

RQ3G150GNはスイッチングやDC/DCコンバータ用途に最適な、低オン抵抗のミドルパワーMOSFETです。

RQ3L050GNは小型面実装パッケージで低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。

RQ3L090GNは低オン抵抗のMiddle Power MOSFETです。
スイッチング、モーター、DC/DC コンバータのアプリケーションに最適です。

RQ5A020ZPは低オン抵抗、ゲート保護ダイオード内蔵のMOSFETです。
ロードスイッチ用途に最適です。

RQ5A025ZPは、低オン抵抗のゲート保護ダイオード内蔵MOSFETです。
スイッチング用途に最適です。