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ROHM(ローム)　Nch 30V 7A Power MOSFET　RXH070N03TB1 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RXH070N03TB1

ROHM(ローム)　Nch 30V 7A Power MOSFET　RXH070N03TB1 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　Nch 30V 12.5A Power MOSFET　RXH125N03TB1 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RXH125N03TB1

ROHM(ローム)　Nch 30V 12.5A Power MOSFET　RXH125N03TB1 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　Nch 30V 3.5A 小信号MOSFET　RXL035N03TCR 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RXL035N03TCR

ROHM(ローム)　Nch 30V 3.5A 小信号MOSFET　RXL035N03TCR 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

RXL035N03は小型面実装パッケージで低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。
ROHM(ローム)　0.9V駆動タイプ Nch MOSFET　RYC002N05T316 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RYC002N05T316

ROHM(ローム)　0.9V駆動タイプ Nch MOSFET　RYC002N05T316 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　0.9V駆動タイプ Nch MOSFET　RYM002N05T2CL 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RYM002N05T2CL

ROHM(ローム)　0.9V駆動タイプ Nch MOSFET　RYM002N05T2CL 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　1.5V駆動タイプ Pch MOSFET　RZF013P01TL 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RZF013P01TL

ROHM(ローム)　1.5V駆動タイプ Pch MOSFET　RZF013P01TL 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　1.5V駆動タイプ Pch MOSFET　RZF020P01TL 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RZF020P01TL

ROHM(ローム)　1.5V駆動タイプ Pch MOSFET　RZF020P01TL 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　1.5V駆動タイプ Pch MOSFET　RZF030P01TL 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RZF030P01TL

ROHM(ローム)　1.5V駆動タイプ Pch MOSFET　RZF030P01TL 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　1.2V駆動タイプ Pch MOSFET　RZM001P02T2L 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RZM001P02T2L

ROHM(ローム)　1.2V駆動タイプ Pch MOSFET　RZM001P02T2L 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　1.2V駆動タイプ Pch MOSFET　RZM002P02T2L 「在庫掲載」

メーカー品番 ： RZM002P02T2L

ROHM(ローム)　1.2V駆動タイプ Pch MOSFET　RZM002P02T2L 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

電界効果トランジスタのMOSFET。
微細プロセスを採用した｢モバイル向け超低オン抵抗 デバイス」により低消費電力であるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで市場ニーズに対応しています。
ROHM(ローム)　面実装レンズ付きフォトトランジスタ　SCM-014TBT86 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCM-014TBT86

ROHM(ローム)　面実装レンズ付きフォトトランジスタ　SCM-014TBT86 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

ロームの光センサは変化を見つめる電子の目としてあらゆる動きの検出に対応し、日々進化するお客様の要望にお応えします。
ROHM(ローム)　SiC MOSFET　SCT2160KEC 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT2160KEC

ROHM(ローム)　SiC MOSFET　SCT2160KEC 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期３ヶ月 価格 個別見積

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。
（SiC-SBD非同梱タイプ） 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
ROHM(ローム)　SiC MOSFET　SCT2280KEC 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT2280KEC

ROHM(ローム)　SiC MOSFET　SCT2280KEC 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期３ヶ月 価格 個別見積

SiCによるプレーナタイプMOSFETです。
（SiC-SBD非同梱タイプ） 高耐圧・低オン抵抗・高速スイッチングが特徴です。
ROHM(ローム)　Nch シリコンカーバイド (SiC) パワーMOSFET　SCT2750NYTB 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT2750NYTB

ROHM(ローム)　Nch シリコンカーバイド (SiC) パワーMOSFET　SCT2750NYTB 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT2750NYは1700V 6AのNch SiCパワーMOSFETです。
ROHM(ローム)　Nch シリコンカーバイド (SiC) パワーMOSFET　SCT2H12NYTB 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT2H12NYTB

ROHM(ローム)　Nch シリコンカーバイド (SiC) パワーMOSFET　SCT2H12NYTB 「在庫掲載」

最低注文数 50 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT2H12NYは1700V 4AのNch SiCパワーMOSFETです。
ROHM(ローム)　SiC MOSFET　SCT2H12NZGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT2H12NZGC11

ROHM(ローム)　SiC MOSFET　SCT2H12NZGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT2H12NZは1700V 3.7AのNch SiCパワーMOSFETです。
ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3017ALGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3017ALGC11

ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3017ALGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3017ALは650V 118AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3022ALGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3022ALGC11

ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3022ALGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3022ALは650V 93AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3022KLGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3022KLGC11

ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3022KLGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3022KLは1200V 95AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3030ALGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3030ALGC11

ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3030ALGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3030ALは650V 70AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ROHM(ローム)　650V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3030ARC14 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3030ARC14

ROHM(ローム)　650V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3030ARC14 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3030ARは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。
パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。
特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。
従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。
ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3030KLGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3030KLGC11

ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3030KLGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3030KLは1200V 72AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3040KLGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3040KLGC11

ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3040KLGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3040KLは1200V 55AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ROHM(ローム)　1200V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3040KRC14 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3040KRC14

ROHM(ローム)　1200V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3040KRC14 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3040KRは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。
パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。
特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。
従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。
ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3060ALGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3060ALGC11

ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3060ALGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期３ヶ月 価格 個別見積

SCT3060ALは650V 39AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ROHM(ローム)　650V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3060ARC14 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3060ARC14

ROHM(ローム)　650V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3060ARC14 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3060ARは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。
パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。
特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。
従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。
ROHM(ローム)　Nch シリコンカーバイド (SiC) パワーMOSFET　SCT3080ALGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3080ALGC11

ROHM(ローム)　Nch シリコンカーバイド (SiC) パワーMOSFET　SCT3080ALGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3060ALは650V 30AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ROHM(ローム)　650V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3080ARC14 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3080ARC14

ROHM(ローム)　650V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3080ARC14 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3080ARは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。
パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。
特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。
従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。
ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3080KLGC11 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3080KLGC11

ROHM(ローム)　N-channel Silicon Carbide Power MOSFET　SCT3080KLGC11 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3080KLは1200V 31AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。
ROHM(ローム)　1200V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3080KRC14 「在庫掲載」

メーカー品番 ： SCT3080KRC14

ROHM(ローム)　1200V Nch 4端子パッケージ SiC-MOSFET　SCT3080KRC14 「在庫掲載」

最低注文数 10 注文単位数 1 (単位：個)
標準納期10日 価格 個別見積

SCT3080KRは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。
パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。
特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。
従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。
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