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SCT3105KLは1200V 24AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

SCT3105KRは高効率が求められるサーバー用電源や太陽光インバータ、電動車の充電ステーションなどに最適な、トレンチゲート構造のSiC MOSFETです。
パワーソース端子とドライバーソース端子を分離した4端子パッケージで、高速スイッチング性能を最大限に引き出しています。
特にターンオンでの損失を大幅に改善しています。
従来の3端子パッケージ（TO-247N）と比べて、ターンオン損失とターンオフ損失を合計すると約35％の損失低減が見込めます。

SCT3120ALは650V 21AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

SCT3160KLは1200V 17AのNch SiCパワーMOSFETです。
トレンチ構造によりオン抵抗を低減しています。

SH8J31はミドルパワーPch MOSFETを2素子複合した、スイッチング、モーター駆動用のMOSFETです。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

SH8K10Sは低オン抵抗のパワーMOSFETです。
スイッチング用途に最適です。

SH8K25は小型面実装パッケージのスイッチング用途に適したパワーMOSFETです。

SH8K26は小型面実装パッケージのスイッチング用途に適したミドルパワーMOSFETです。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

SH8K37は小型面実装パッケージ（SOP8)で省スペースかつ低オン抵抗の、スイッチングやモーター駆動に最適なMOSFETです。

SH8K39は低オン抵抗のパワーMOSFETです。
スイッチング用途やモーター駆動用に最適です。

SH8K41は低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。

SH8K52はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のパワーMOSFETです。

SH8KA1は低オン抵抗のパワートランジスタです。
スイッチングやモータ駆動用途に最適です。

SH8KA2はスイッチングやモータードライブ用途に最適な小型面実装パッケージのMOSFETです。

SH8KA4はスイッチングやモータードライブ用途に最適なパワーMOSFETです。

SH8KA7は小型面実装パッケージで低オン抵抗のモータ駆動用途に最適なMOSFETです。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Pch MOSFETとNch MOSFETを複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。

SH8M31TBはスイッチング用途に最適な低オン抵抗のパワーMOSFETです。

SH8M41は低オン抵抗のスイッチング用途に最適なMOSFETです。

SH8M51はスイッチング用途に最適な低オン抵抗のパワーMOSFETです。

SH8MA2は低オン抵抗のPower MOSFETです。
スイッチングのアプリケーションに最適です。

SH8MA3は小型面実装パッケージ（SOP8)で省スペースかつ低オン抵抗の、スイッチング用途に最適なMOSFETです。

SH8MA4は小型面実装パッケージ（SOP8)で省スペースかつ低オン抵抗の、スイッチング用途に最適なMOSFETです。

ロームの光センサは変化を見つめる電子の目としてあらゆる動きの検出に対応し、日々進化するお客様の要望にお応えします。

ロームの光センサは変化を見つめる電子の目としてあらゆる動きの検出に対応し、日々進化するお客様の要望にお応えします。

電界効果トランジスタのMOSFET。
Nch MOSFETを2素子複合しています。
微細用プロセスを採用した「超低オン抵抗デバイス」により、幅広い用途に応用できるパワーMOSFETを提供します。
また用途に合わせて小型・ハイパワー・複合化を可能とする豊富なラインアップで多様な市場ニーズに対応しています。